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北京赛米莱德贸易有限公司

主营产品:电子材料、零部件、结构件

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干光刻胶报价的行业须知,北京赛米莱德有限公司

发布时间:2024-02-10 10:36:59


光刻胶分类

1、负性光刻胶

主要有聚酸系(聚酮胶)和环化橡胶系两大类,前者以柯达公司的KPR为代表,后者以OMR系列为代表。


2、正性光刻胶

主要以重氮醒为感光化台物,以酚醛树脂为基本材料。的有AZ-1350系列。正胶的主要优点是分辨率高,缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。


3、负性电子束光刻胶

为含有环氧基、乙烯基或环硫化物的聚合物。

的是COP胶,典型特性:灵敏度0.3~0.4μC/cm^2 (加速电压10KV时)、分辨率1.0um、 对比度0.95。限制分辨率

的主要因素是光刻胶在显影时的溶胀。


4、正性电子束光刻胶

主要为甲酯、烯砜和重氮类这三种聚合物。的是PMMA胶,典型特性:灵敏度40~ 80μC/cm^2 (加速电压20KV时)、分辨率0.1μm、 对比度2~3。


PMMA胶的主要优点是分辨率高。主要缺点是灵敏度低,此外在高温下易流动,耐干法刻蚀性差。


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光刻胶分类

光刻胶按其形成图形的极性可以分为:正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子;负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。

短链分子聚合物可以被显影液溶解掉,因此正胶的曝光部分被去掉,而负胶的曝光部分被保留。


赛米莱德以诚信为首 ,服务至上为宗旨。公司生产、销售光刻胶,公司拥有强大的销售团队和经营理念。想要了解更多信息,赶快拨打图片上的热线电话!


光刻胶的主要技术参数

1、分辨率:区别硅片表面相邻图形特性的能力,一般用关键尺寸来衡量 分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。


2、对比度:指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭,分辨率越好。


3、敏感度:光刻胶上产生一 个良好的图形所需一 定波长的小能量值(或小曝光量)。单位:焦/平方厘米或mJ/cm2.光刻胶

的敏感性对于波长更短的深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为重要。


4、粘滞性/黏度:衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的

粘滞性,就有越均匀的光刻胶厚度。


5、粘附性:表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。


6、抗蚀性:光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀I序中保护衬底表面。


7、表面张力:液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力,使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。


8、存储和传送:能量可以启动光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。

同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。


以上内容由赛米莱德为您提供,希望对同行业的朋友有所帮助!


光刻胶的成分

树脂:光刻树脂是一种惰性的聚合物基质 ,是用来将其他材料聚合在一-起的粘合剂。

光刻胶的粘附性、胶膜厚度等都是树脂给的。


感光剂:感光剂是光刻胶的核心部分,他对光形式的辐射能,特别在紫外区会发生反应。曝光时间、光源所发射光线的强,度都根据感光剂的特性选择决定的。


溶剂:光刻胶中容量较大的成分,感光剂和添加剂都是固体物质,为了方便均匀的涂覆,要将他们加入溶剂进行溶解,形成液态物质,并且使之具有良好的流动性,可以通过选择方式涂布在waf er表面。


添加剂:用以改变光刻胶的某些特性,如改善光刻胶发生反射而添加染色剂。


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光刻胶:用化学反应进行图像转移的媒介 光刻胶具有光化学敏感性,其经过曝光、显影、刻蚀等工艺,可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。光刻胶和集成电路制造产业链的前端的即为光刻胶专用化学品,生产而得的不同类型的光刻胶被应用于消费电子、家用电器、信息通讯、汽车电子、航空航天等在内的各个下游终端领域,需求较为分散。光刻胶基于应用领域不同一般可以分为半导体集成电路(IC)光刻胶、 PCB光刻胶以及LCD光刻胶三个大类。其中, PCB光刻胶占全球市场24.5%,半导体IC光刻胶占全球市场24.1%,LCD光刻胶占全球市场26.6%。光刻的工序 下面我们来详细介绍一下光刻的工序: 一、清洗硅片(}
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光刻胶市场 全球光刻胶市场扩增,对光刻胶的总需求不断提升。将带有光刻胶层的半导体结构置于去胶机内,在射频电压的能量的作用下,灰化气体被解离为等离子体。据估计,2015年国际光刻胶市场达73.6亿美元,其中PCB光刻胶占比24.5%,LCD光刻胶占26.6%,半导体光刻胶占比24.1%。2010年到2015年期间,国际光刻胶市场年复合增长率约为5.8%;据中国产业信息网数据,2015年,PCB光刻胶、LCD光刻胶和半导体光刻胶的国际市场增速均在5%左右。在下游产业的带动下,江瀚咨询预计国际光刻胶市场规模在2022年可能突破100亿美元。彩色薄膜少了光刻胶,产生不了绚丽的画面 显示器是人与机器沟}
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光刻胶 ① 工艺角度普通的光刻胶在成像过程中,由于存在一定的衍射、反射和散射,降低了光刻胶图形的对比度,从而降低了图形的分辨率。随着曝光加工特征尺寸的缩小,入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高曝光系统分辨率的性能,人们正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入,可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射,从而改善光刻胶的分辨率性能,但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。② 曝光系统伴随着新一代曝光技术(NGL)的研究与发展,为了更好的满足其所能实现光刻分辨率的同时,光刻胶也相应发展。先进曝光技术对光刻胶的性能要求也越来越高。③光刻胶的铺展如}
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负性光刻胶简介 感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理,溶去可溶性部分,得到所需图像(见图光致抗蚀剂成像制版过程)。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生成自由基,}
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光刻胶的分类 以下是赛米莱德为您一起分享的内容,赛米莱德专业生产光刻胶,欢迎新老客户莅临。硅片制造中,光刻胶的目的主要有两个:(1)将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中;(2)在后续工艺中,保护下面的材料(例如刻蚀或离子注入阻挡层)。分类 光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。图1是正性胶的显影工艺与负性胶显影工艺对比结果示意图 [2] 。光刻胶主要用于图形化工艺 以半导体行业为例,光刻胶主要用于半导体图形化工艺。图形化工艺是半导体制造过程中的核心工艺}
2024-02-26 19:41:05
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